IRF5305PBF vs IRF4905PBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF5305PBF bằng Infineon và IRF4905PBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF5305PBF | IRF4905PBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | P-Channel | P-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -31 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C | 110 W | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | 60 mOhm (typical) | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V ID=-16A | [DATA_NEEDED: max RDS(on) at -10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 42 nC (typical) | 120 nC |
| Gate-to-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss] | — |
| Turn-On Delay Time (td(on)) | [DATA_NEEDED: td(on)] | — |
| Turn-Off Delay Time (td(off)) | [DATA_NEEDED: td(off)] | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | [DATA_NEEDED: RthJC] | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) | [DATA_NEEDED: RthJA] | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +175C | — |
| Hộp | TO-220AB (through-hole, 3-pin + tab) | TO-220AB (through-hole) |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Through Hole |
| Lead-Free Plating (PBF suffix) | Yes (Pb-free) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Technology | HEXFET (planar DMOS) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | -74 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 200 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V | — | 20 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +175 °C (junction) |
| Pin Configuration | — | Gate - Drain - Source (left to right) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) |
| Cấp MSL | — | 1 (not moisture-sensitive for TO-220) |