IRFL014NTRPBF vs IRFR120NTRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFL014NTRPBF द्वारा Infineon और IRFR120NTRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET 1.9A SOT-223 | Infineon

IRFL014NTRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET 1.9A SOT-223 | Infineon

IRFL014NTRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFL014NTRPBF IRFR120NTRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at 25 C 1.9 A —
Continuous Drain Current (ID) at 70 C [DATA_NEEDED: ID at 70 C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 160 milliohm —
Gate Charge (Qg) typical 7 nC —
Threshold Voltage VGS(th) typical [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Power Dissipation (PD) at 25 C 1.0 W (free air), up to 2.1 W with proper PCB copper —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +150 C (junction) —
पैकेज SOT-223 (TO-261-4), 4-pin (3 + tab) TO-252AA (DPAK)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
dv/dt Rating Yes (dynamic dv/dt rated) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL स्तर Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Technology HEXFET (planar N-channel, fifth generation) HEXFET (IR MOSFET fifth generation)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 9.4 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 48 W
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 210 milliohms at VGS=10V
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V to 4 V typical
Total Gate Charge (Qg) typical — 16.7 nC
Gate-to-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-to-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज — -55C to +175C
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS]
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) max — [DATA_NEEDED: RthJC]
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free, RoHS Compliant

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध