IRFR5305TRPBF vs IRFR120NTRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR5305TRPBF द्वारा Infineon और IRFR120NTRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFR5305TRPBF IRFR120NTRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 31 A 9.4 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V 65 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) -2 V to -4 V —
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 110 W —
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) 270 mJ —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +175 C —
पैकेज TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET fifth generation)
MSL स्तर 1 —
RoHS स्थिति Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 48 W
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 210 milliohms at VGS=10V
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V to 4 V typical
Total Gate Charge (Qg) typical — 16.7 nC
Gate-to-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-to-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज — -55C to +175C
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS]
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) max — [DATA_NEEDED: RthJC]
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free, RoHS Compliant

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध