ISC015N06NM5LF2ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC015N06NM5LF2ATMA1 द्वारा Infineon और IAUC120N06S5L015ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC015N06NM5LF2ATMA1 | IAUC120N06S5L015ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) | N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 275 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 217 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.55 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) | 1.3 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V | — |
| Gate-Source Voltage Rating | ±20 V | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 1.3 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 6.9 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 1.3 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 55 pF | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 90 nC | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 °C to +175 °C | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) | PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (exposed pad) |
| RoHS | Compliant | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 235 A |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) | — | 1.5 mΩ |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | 88 nC |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 167 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +175C (Tj) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Drain-Source On-State Resistance Test Conditions | — | VGS = 10 V, ID = 50 A |
| Typical Application | — | Automotive DC-DC, battery switches, motor drives |