ISC033N03LF2SATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC033N03LF2SATMA1 द्वारा Infineon और ISC011N04NM7VATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
ISC033N03LF2SATMA1 ISC033N03LF2SATMA1 - 30V 108A N-Channel MOSFET | Infineon

ISC033N03LF2SATMA1 - 30V 108A N-Channel MOSFET | Infineon

ISC033N03LF2SATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
ISC011N04NM7VATMA1 ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर ISC033N03LF2SATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
MPN ISC033N03LF2SATMA1 —
Part Family OptiMOS LF2 (<= 40V) —
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS trench (<= 40V) Trench MOSFET, silicon
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 108 A 256 A
Continuous Drain Current (ID) at TA 22 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum On-Resistance RDS(on) max 3.3 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V —
Power Dissipation (PD) at TA 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC 71 W —
पैकेज PG-TDSON-8-62 (Source-Down, 5x6 mm) PG-TDSON-8 (source-down)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 °C to +175 °C (TJ)
Junction Temperature (TJ) max [DATA_NEEDED: junction temperature max] —
Configuration Single N-channel, source-down —
RoHS स्थिति Compliant —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL level] MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)

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