ISK057N04LM6ATLA1 vs IQE020N04LM6CGATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISK057N04LM6ATLA1 द्वारा Infineon और IQE020N04LM6CGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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ISK057N04LM6ATLA1 ISK057N04LM6ATLA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISK057N04LM6ATLA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISK057N04LM6ATLA1 ✓ सक्रिय
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IQE020N04LM6CGATMA1 IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर ISK057N04LM6ATLA1 IQE020N04LM6CGATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 OptiMOS 6
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Trench (OptiMOS 6) OptiMOS 6, TrenchFET-class
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 64 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta [DATA_NEEDED: ID at TA=25C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max] —
RDS(on) typical at VGS=10V 5.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge (Qg total) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 39.1 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 °C to +150 °C -55°C to +150°C
पैकेज / केस PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर 1 MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Packaging Tape & Reel (TR) —
DigiKey Part Number 448-ISK057N04LM6ATLA1TR-ND —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 166 A
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 107 W
On-State Resistance (RDS(on)) typical @ VGS=10V — 2.0 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: Qg value]
पैकेज — PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3, source-down center-gate)
Configuration — Single N-Channel, source-down

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