K3KL9L90DM-MGCU vs K3KL7L70EM-MGCU तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K3KL9L90DM-MGCU द्वारा Samsung Electronics और K3KL7L70EM-MGCU द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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K3KL9L90DM-MGCU K3KL9L90DM-MGCU - LPDDR5X 64Gb x32 8533Mbps FBGA | Samsung

K3KL9L90DM-MGCU - LPDDR5X 64Gb x32 8533Mbps FBGA | Samsung

K3KL9L90DM-MGCU ✓ सक्रिय
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K3KL7L70EM-MGCU K3KL7L70EM-MGCU - 12Gb LPDDR5X DRAM, 315-Ball FBGA | Samsung

K3KL7L70EM-MGCU - 12Gb LPDDR5X DRAM, 315-Ball FBGA | Samsung

K3KL7L70EM-MGCU ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K3KL9L90DM-MGCU K3KL7L70EM-MGCU
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार LPDDR5X SDRAM LPDDR5X SDRAM
Total Density 64 Gbit (8 GB) —
संगठन x32 [DATA_NEEDED: organization x32]
डेटा दर 8533 Mbps per pin [DATA_NEEDED: data rate Mbps/pin]
पैकेज 315-ball FBGA 315-ball FBGA
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान -25C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
I/O Voltage Class [DATA_NEEDED: VDDQ voltage] —
Core Supply [DATA_NEEDED: VDD voltage] —
Standard JEDEC LPDDR5X (LPDDR5 family) —
Channel Configuration 32-bit channel —
Speed Class Designator LPDDR5X-8533 —
Density per Die 16 Gbit per channel density (per distributor data) —
RoHS स्थिति Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Density — 12 Gbit (1.5 GB)
Speed Grade Suffix — -MGCU
Supply Voltage VDD — [DATA_NEEDED: VDD core voltage]
Supply Voltage VDDQ — [DATA_NEEDED: VDDQ I/O voltage]
Bank Architecture — [DATA_NEEDED: bank group count]
CAS लेटेंसी — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh — Self-refresh and per-bank refresh per JEDEC LPDDR5X
Termination — On-Die Termination (ODT)
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

डेटाशीट और संसाधन

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