K4RAH086VE-BCWM vs K4RHE086VB-BCWM तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4RAH086VE-BCWM द्वारा Samsung Electronics और K4RHE086VB-BCWM द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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K4RAH086VE-BCWM K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics

K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics

K4RAH086VE-BCWM ✓ सक्रिय
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K4RHE086VB-BCWM K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K4RAH086VE-BCWM K4RHE086VB-BCWM
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
स्टॉक स्थिति In Stock —
यूनिट मूल्य (USD) $7.60 —
मेमोरी प्रकार DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 24 Gb
संगठन 2G x 8 2G x 8
डेटा दर 5600 Mbps 5600 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
पैकेज 82-ball FBGA 82 FBGA
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Generation DDR5 —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank group count] —
CAS लेटेंसी [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] —
VDDQ Voltage [DATA_NEEDED: VDDQ value] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
लाइफसाइकिल स्थिति Mass Production —
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Semiconductor
सप्लाई वोल्टेज — 1.1 V
इंटरफ़ेस — DDR5 (JEDEC)
Configuration — x8
Application Segment — Server / Data Center / Premium PC
Access Time / CAS Latency — [DATA_NEEDED: CAS latency]
On-Die ECC — [DATA_NEEDED: on-die ECC support]
Package Height — [DATA_NEEDED: package height]

डेटाशीट और संसाधन

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