M25PE40-VMN3TPB vs M25PE10-VMN3TPB तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M25PE40-VMN3TPB द्वारा Micron Technology और M25PE10-VMN3TPB द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
M25PE40-VMN3TPB - 4Mb SPI NOR Flash 75MHz 8-SO | Micron Technology
M25PE40-VMN3TPB ObsoleteMicron Technology
M25PE10-VMN3TPB - 1Mb SPI NOR Flash 75MHz AEC-Q100 | Micron
M25PE10-VMN3TPB Obsoleteविशेषता तुलना
| पैरामीटर | M25PE40-VMN3TPB | M25PE10-VMN3TPB |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Obsolete | Obsolete |
| मेमोरी प्रकार | Non-Volatile Flash - NOR | FLASH - NOR (serial paged) |
| Memory Format | FLASH | — |
| मेमोरी आकार | 4Mb (512K x 8) | 1 Mbit (128K x 8) |
| इंटरफ़ेस | SPI | SPI |
| Clock Frequency | 75 MHz | 75 MHz |
| सप्लाई वोल्टेज | 2.7 V to 3.6 V | 3V/3.3V |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15 ms, 3 ms | — |
| Page Program Time | 0.8 ms (typ) | — |
| Page Write Time | 11 ms (typ) | — |
| Page Erase Time | 10 ms (typ) | — |
| Subsector Erase | 4 KB | — |
| Sector Erase | 64 KB | — |
| Bulk Erase | 4 Mb | — |
| Deep Power-Down Current | 1 uA (typ) | — |
| Electronic Signature | JEDEC 2-byte signature 8013h | — |
| Endurance | More than 100,000 program/erase cycles | — |
| Write Protection | Software (64KB sector basis) and hardware BP0/BP1/BP2 | — |
| पैकेज | 8-SOIC (0.154in, 3.90mm width) | 8-SOIC (SO-8) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete | Obsolete |
| Write Cycle Time - Page | — | 3 ms |
| Write Cycle Time - Word | — | 15 ms |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Qualification | — | Automotive AEC-Q100 |
| Programming Granularity | — | 1 to 256 bytes per Page Write / Page Program |
| श्रेणी | — | Memory chips - Flash |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: access time] |