M29F200FB55M3E2 vs M29F200FB55N3F2 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F200FB55M3E2 द्वारा Micron Technology और M29F200FB55N3F2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29F200FB55M3E2 M29F200FB55M3E2 - 2Mbit 55ns NOR Flash 5V 44-SO | Micron

M29F200FB55M3E2 - 2Mbit 55ns NOR Flash 5V 44-SO | Micron

M29F200FB55M3E2 ✗ जीवन की समाप्ति
Micron Technology
M29F200FB55N3F2 M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29F200FB55M3E2 M29F200FB55N3F2
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति उत्पादन बंद सक्रिय
मेमोरी प्रकार Flash - NOR Memory IC Parallel NOR Flash
Density 2097 kbits (2 Mbit) 2 Mbit (2097 kbits)
संगठन 128K x 16 bits 256K x 8 bit / 128K x 16 bit
Number of Words 128 k 128 K (x16 mode)
Bits per Word 16 bits 16 bits
इंटरफ़ेस Parallel Parallel
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Boot Block Architecture Bottom Boot Block Bottom Boot Block (FB)
Program / Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C -40C to +125C
Package Type 44-SO (SOP44) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ब्रांड Micron Technology Inc. —
Programming Voltage [DATA_NEEDED: program/erase supply voltage] —
Sector Organization [DATA_NEEDED: sector/erase block organization] —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Programming — Embedded byte/word program algorithm
Erase — Embedded block erase controller
पैकेज — 48-TSOP I
Packaging — Tape & Reel (TR)

डेटाशीट और संसाधन

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