M29F200FT55M3F2 vs M29F200FB55M3E2 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F200FT55M3F2 द्वारा Micron Technology और M29F200FB55M3E2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ सक्रिय
Micron Technology
M29F200FB55M3E2 M29F200FB55M3E2 - 2Mbit 55ns NOR Flash 5V 44-SO | Micron

M29F200FB55M3E2 - 2Mbit 55ns NOR Flash 5V 44-SO | Micron

M29F200FB55M3E2 ✗ जीवन की समाप्ति

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29F200FT55M3F2 M29F200FB55M3E2
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय उत्पादन बंद
मेमोरी प्रकार Parallel NOR Flash Flash - NOR Memory IC
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2097 kbits (2 Mbit)
संगठन 256K x 8 / 128K x 16 128K x 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Boot Block Architecture Top Boot Block Bottom Boot Block
Programming Interface Embedded program/erase controller, byte or word —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Yes —
पैकेज 44-pin SO (TSOP) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Number of Words (x16 mode) 128 K —
Bits per Word (x16 mode) 16 bits —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Number of Words — 128 k
Bits per Word — 16 bits
इंटरफ़ेस — Parallel
Program / Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Package Type — 44-SO (SOP44)
ब्रांड — Micron Technology Inc.
Programming Voltage — [DATA_NEEDED: program/erase supply voltage]
Sector Organization — [DATA_NEEDED: sector/erase block organization]
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

डेटाशीट और संसाधन

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