M29F400FT55N3F2 vs M29F160FT55N3F2 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F400FT55N3F2 द्वारा Micron Technology और M29F160FT55N3F2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29F400FT55N3F2 M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 ✓ सक्रिय
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M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29F400FT55N3F2 M29F160FT55N3F2
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी EEPROM Flash
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार NOR Flash (SLC) NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
मेमोरी आकार 4 Mbit —
संगठन 256K x 16 1M x 16 / 2M x 8
इंटरफ़ेस Parallel Parallel
Access Time 55 ns 55 ns
सप्लाई वोल्टेज 5 V —
Block Architecture Top boot block —
पैकेज 44-SO (SOP-44) 48-Pin TSOP
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code) —
Compliance Suffix F2 (RoHS-compliant, lead-free plating) —
Programming Voltage Single supply (no 12 V VPP required) —
Technology Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase —
Max Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: min operating temperature] -40C to +125C
Density — 16 Mbit (16777 kbits)
Number of Words — 1000 k
Bits per Word — 16 bits
Supply Voltage (VCC) — 5 V (operating 4.5 V)
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
Packaging — Tape & Reel
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)
RoHS स्थिति — [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

डेटाशीट और संसाधन

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