M29F400FT55N3F2 vs M29F160FT55N3F2 비교
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Micron Technology
M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology
M29F160FT55N3F2 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | M29F400FT55N3F2 | M29F160FT55N3F2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | EEPROM | Flash |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.51 | $4.90 |
| 메모리 유형 | NOR Flash (SLC) | NOR Flash (Parallel, Asynchronous) |
| 메모리 크기 | 4 Mbit | — |
| 메모리 구성 | 256K x 16 | 1M x 16 / 2M x 8 |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| 공급 전압 | 5 V | — |
| Block Architecture | Top boot block | — |
| 패키지 | 44-SO (SOP-44) | 48-Pin TSOP |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code) | — |
| Compliance Suffix | F2 (RoHS-compliant, lead-free plating) | — |
| Programming Voltage | Single supply (no 12 V VPP required) | — |
| Technology | Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase | — |
| Max Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: min operating temperature] | -40C to +125C |
| Density | — | 16 Mbit (16777 kbits) |
| Number of Words | — | 1000 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V (operating 4.5 V) |
| Synchronous / Asynchronous | — | Asynchronous |
| Boot Block Location | — | Top boot block (FT) |
| Packaging | — | Tape & Reel |
| Program / Erase | — | Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) |
| RoHS 상태 | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |