MC9S08PA4VTGR vs MC9S08QE8CWL तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MC9S08PA4VTGR द्वारा NXP Semiconductors और MC9S08QE8CWL द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

NXP Semiconductors
MC9S08PA4VTGR MC9S08PA4VTGR - 8-bit S08 MCU, 4KB Flash, 16-TSSOP | NXP

MC9S08PA4VTGR - 8-bit S08 MCU, 4KB Flash, 16-TSSOP | NXP

MC9S08PA4VTGR Nrnd

विशेषता तुलना

पैरामीटर MC9S08PA4VTGR MC9S08QE8CWL
ब्रांड NXP Semiconductors NXP Semiconductors
श्रेणी Microcontrollers Microcontrollers
लाइफसाइकिल स्थिति NRND NRND
Core Processor S08 HCS08 (S08)
Core Size 8-Bit 8-bit
Maximum Bus Speed 20 MHz —
Program Memory Size 4 KB (4K x 8) FLASH —
EEPROM Size 128 x 8 (128 bytes) —
RAM Size [DATA_NEEDED: RAM size] —
Operating Voltage Range 2.7 V to 5.5 V —
Number of I/O 14 —
पैकेज 16-TSSOP (VTG) - 4.4 mm body 28-pin SOIC W (7 mm x 7 mm, 1.40 mm height, 0.80 mm pitch)
Connectivity LINbus, SPI, UART/USART I2C, LINbus, SCI, SPI
Peripherals LVD, POR, PWM, WDT LVD, PWM, 16-bit Timer (TPM), BDM
Data Converters [DATA_NEEDED: ADC channels/bits] —
Oscillator Type Internal (FLL-stabilized) —
ऑपरेटिंग तापमान -40 °C to +125 °C (automotive) -40 C to +85 C
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL level] —
Lead-Free / RoHS Lead free / RoHS compliant —
AEC-Q100 Qualified (automotive grade) —
Core Architecture — CISC, Harvard, 3-stage pipeline
Maximum CPU Frequency — 20 MHz at 1.8 V; 50.33 MHz bus at 2.1 V
Program Memory (Flash) — 8 KB (8K x 8)
RAM — 512 B
Supply Voltage (VDD) — 1.8 V to 3.6 V
I/O Pins — 28
PWM Channels — Up to 6
Debug Interface — Single-wire Background Debug Mode (BDM)
ROM Type — Flash
RoHS स्थिति — Compliant (per NXP product page)
Series — S08QE Flexis
माउंटिंग स्टाइल — Surface Mount
Family — MC9S08

डेटाशीट और संसाधन

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