MT40A1G8SA-075:E vs K4A8G085WB-BICR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A1G8SA-075:E द्वारा Micron Technology और K4A8G085WB-BICR द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT40A1G8SA-075:E | K4A8G085WB-BICR |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8Gbit (1G x 8) | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| डेटा दर | 2666 MT/s | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0°C to +95°C | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| पैकेज | 78-FBGA (7.5x11 mm) | 78-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Write Leveling | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| CRC Function | Supported | — |
| Data Mask Function | Supported | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8 Gb |
| संगठन | — | 1G x 8 |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V (VDD/VDDQ) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| पिन काउंट | — | 78 |
| Temperature Grade | — | Industrial (I-grade) |
| Die / Process | — | Samsung 8Gb B-die DDR4 |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Refresh Management | — | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported |