MT40A1G8SA-075:E vs K4A8G085WB-BICR مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT40A1G8SA-075:E توسط Micron Technology و K4A8G085WB-BICR توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | MT40A1G8SA-075:E | K4A8G085WB-BICR |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8Gbit (1G x 8) | — |
| رابط | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| نرخ داده | 2666 MT/s | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| محدوده دمای کاری | 0°C to +95°C | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| بسته‌بندی | 78-FBGA (7.5x11 mm) | 78-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Write Leveling | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| CRC Function | Supported | — |
| Data Mask Function | Supported | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8 Gb |
| سازمان | — | 1G x 8 |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V (VDD/VDDQ) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| تعداد پایه | — | 78 |
| Temperature Grade | — | Industrial (I-grade) |
| Die / Process | — | Samsung 8Gb B-die DDR4 |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Refresh Management | — | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported |