MT40A256M16GE-075E:B vs K4A4G165WD-BCTD तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A256M16GE-075E:B द्वारा Micron Technology और K4A4G165WD-BCTD द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron

MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron

MT40A256M16GE-075E:B ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCTD K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WD-BCTD ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MT40A256M16GE-075E:B K4A4G165WD-BCTD
ब्रांड Micron Technology Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) $3.95 —
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
मेमोरी आकार 4 Gbit —
संगठन 256M x 16 256M x 16
Memory Interface Parallel —
Clock Frequency 1.33 GHz —
डेटा दर 2666 MT/s (DDR4-2666) 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade)
VDD / VDDQ 1.2 V +/-60 mV —
VPP 2.5 V, -125 mV/+250 mV —
Internal Banks 16 —
Refresh 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C —
I/O Type 1.2 V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die, internal, adjustable generation —
Special Features Temperature controlled refresh (TCR) —
पैकेज 96-FBGA (9 x 14 mm) 96-ball FBGA
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount (BGA)
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] 0C to +85C (commercial)
Access Time [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] —
Density — 4 Gbit
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Core Supply (VPP) — 2.5 V
इंटरफ़ेस — SSTL-12
Data Mask — Yes (DM per byte lane)
Bank Architecture — 16 banks / 4 bank groups
On-Die Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes (external RZQ resistor)
CRC / CA Parity — CRC read/write support
Reset — Asynchronous reset (RESET_n)
RoHS स्थिति — [DATA_NEEDED: RoHS status]

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध