MT40A512M16JY-075E vs H5AN8G6NAFR-VKC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A512M16JY-075E द्वारा Micron Technology और H5AN8G6NAFR-VKC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT40A512M16JY-075E | H5AN8G6NAFR-VKC |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit | — |
| संगठन | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| डेटा दर | 2666 MT/s | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.14V to 1.26V | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| पैकेज | 96-FBGA (8x14) | FBGA-96 (PBGA96) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant |
| विशेषताएँ | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Core Supply Voltage | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS |
| Speed Grade | — | -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering) |
| Data Rate Class | — | Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code) |
| Family | — | H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR |
| Application | — | Main memory (high density, high bandwidth) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh mode specification] |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |