MT40A512M16JY-07EAIT:B vs NT5AD512M16 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A512M16JY-07EAIT:B द्वारा Micron Technology और NT5AD512M16 द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT40A512M16JY-07EAIT:B | NT5AD512M16 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Nanya Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit | — |
| संगठन | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| डेटा दर | 2666 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V, -125mV, +250mV | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| पैकेज | 96-FBGA (8x14) | 96-ball FBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40°C to +105°C (AIT grade) | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable | — |
| AEC-Q100 | Qualified (AIT suffix) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Total Density | — | 8 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Operating Temperature (Commercial) | — | 0°C to +95°C |
| Operating Temperature (Industrial) | — | -40°C to +95°C |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |