MT40A512M16LY-062E:E vs AS4C512M16D4A-62BCN तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A512M16LY-062E:E द्वारा Micron Technology और AS4C512M16D4A-62BCN द्वारा Alliance Memory. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
MT40A512M16LY-062E:E MT40A512M16LY-062E:E - 8Gb DDR4-3200 x16 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E:E - 8Gb DDR4-3200 x16 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E:E ✓ सक्रिय
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MT40A512M16LY-062E:E AS4C512M16D4A-62BCN
ब्रांड Micron Technology Alliance Memory
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार SDRAM - DDR4 DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit (512M x 16) —
संगठन x16 512M x 16
Clock Frequency 1600 MHz (DDR4-3200, -062E speed grade) —
डेटा दर 3200 MT/s 1600 MHz (3200 Mbps)
Access Time (tRCD/tRP) 19 ns (per DigiKey listing) —
Voltage - Supply (VDD) 1.2 V (typical), 1.14 V min / 1.26 V max —
Voltage - VPP 2.5 V (typical) —
इंटरफ़ेस Parallel (LVCMOS / SSTL) POD (Pseudo Open Drain)
पैकेज / केस 96-TFBGA (7.5 x 13.5 mm) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: exact operating temp range for -062E:E base part; IT:E variant is -40C to +95C per Micron] 0°C to 95°C
Refresh Cycles 65536 —
On-Die Termination Yes (ODT) Yes
Write Leveling Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes (data channel) —
Data Mask Function Yes —
Auto Precharge Yes —
Auto Self-Refresh Yes (LPASR) —
Asynchronous Reset Yes —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
मेमोरी आकार — 8 Gbit
सप्लाई वोल्टेज — 1.2 V
CAS लेटेंसी — 18 ns
पैकेज — 96-FBGA (7.5x13 mm)
JEDEC Standard — Compliant
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Packaging — Tray

डेटाशीट और संसाधन

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