MT40A512M16LY-062E:E vs AS4C512M16D4A-62BCN مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار MT40A512M16LY-062E:E توسط Micron Technology و AS4C512M16D4A-62BCN توسط Alliance Memory. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
MT40A512M16LY-062E:E MT40A512M16LY-062E:E - 8Gb DDR4-3200 x16 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E:E - 8Gb DDR4-3200 x16 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E:E ✓ فعال
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر MT40A512M16LY-062E:E AS4C512M16D4A-62BCN
برند Micron Technology Alliance Memory
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه SDRAM - DDR4 DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit (512M x 16) —
سازمان x16 512M x 16
Clock Frequency 1600 MHz (DDR4-3200, -062E speed grade) —
نرخ داده 3200 MT/s 1600 MHz (3200 Mbps)
Access Time (tRCD/tRP) 19 ns (per DigiKey listing) —
Voltage - Supply (VDD) 1.2 V (typical), 1.14 V min / 1.26 V max —
Voltage - VPP 2.5 V (typical) —
رابط Parallel (LVCMOS / SSTL) POD (Pseudo Open Drain)
بسته‌بندی / کیس 96-TFBGA (7.5 x 13.5 mm) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای کاری [DATA_NEEDED: exact operating temp range for -062E:E base part; IT:E variant is -40C to +95C per Micron] 0°C to 95°C
Refresh Cycles 65536 —
On-Die Termination Yes (ODT) Yes
Write Leveling Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes (data channel) —
Data Mask Function Yes —
Auto Precharge Yes —
Auto Self-Refresh Yes (LPASR) —
Asynchronous Reset Yes —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
اندازه حافظه — 8 Gbit
ولتاژ تغذیه — 1.2 V
تأخیر CAS — 18 ns
بسته‌بندی — 96-FBGA (7.5x13 mm)
JEDEC Standard — Compliant
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Packaging — Tray

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت