MT40A512M16TB-062E:J vs NT5AD512M16C4-HR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A512M16TB-062E:J द्वारा Micron Technology और NT5AD512M16C4-HR द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron
MT40A512M16TB-062E:J ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT40A512M16TB-062E:J | NT5AD512M16C4-HR |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Nanya Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8Gbit (512M x 16) | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C | — |
| Internal Banks (x16) | 8 (2 groups of 4 banks each) | — |
| Prefetch Architecture | 8n-bit | — |
| पैकेज | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) | FBGA-96 (TFBGA) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0°C to 95°C | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| संगठन | — | 512M x 16 |
| Density | — | 8 Gbit |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| डेटा दर | — | 1.333 GHz (DDR4-2666) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0°C to +95°C |
| पिन की संख्या | — | 96 |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |