MT40A512M16TB-062E:J vs NT5AD512M16C4-HR 比較

詳細並排比較 MT40A512M16TB-062E:J 由 Micron Technology 與 NT5AD512M16C4-HR 由 Nanya Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:J MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J ✓ 啟用中
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-HR NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-HR ✓ 啟用中

規格比較

參數 MT40A512M16TB-062E:J NT5AD512M16C4-HR
品牌 Micron Technology Nanya Technology
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 SDRAM - DDR4 DDR4 SDRAM
記憶體容量 8Gbit (512M x 16) —
Clock Frequency 1.6 GHz —
Access Time 19 ns —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C —
Internal Banks (x16) 8 (2 groups of 4 banks each) —
Prefetch Architecture 8n-bit —
封裝 96-FBGA (7.5x13.5 mm) FBGA-96 (TFBGA)
工作溫度範圍 0°C to 95°C —
RoHS 狀態 Compliant —
Lead-Free Yes —
安裝類型 Surface Mount —
組織 — 512M x 16
Density — 8 Gbit
供應電壓 — 1.2 V
資料速率 — 1.333 GHz (DDR4-2666)
工作溫度 — 0°C to +95°C
腳位數 — 96
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
RoHS — Compliant

資料表與資源

瀏覽所有產品 建立 BOM 索取報價