MT41K256M16TW-107:P vs MT41K256M16LY-107:N तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT41K256M16TW-107:P द्वारा Micron Technology और MT41K256M16LY-107:N द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
MT41K256M16TW-107:P MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P ✓ सक्रिय
Micron Technology
MT41K256M16LY-107:N MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MT41K256M16TW-107:P MT41K256M16LY-107:N
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
मेमोरी आकार 4Gbit (256M x 16) 4 Gbit
Clock Frequency 933 MHz —
डेटा दर 1866 MT/s —
सप्लाई वोल्टेज 1.35V 1.35 V
I/O Voltage 1.35V —
CAS लेटेंसी 13 —
tRCD 20 ns —
tRP 20 ns —
Burst Length 8 —
पैकेज 96-FBGA (8x14mm) —
ऑपरेटिंग तापमान 0°C to +95°C —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount —
RoHS स्थिति Compliant —
Lead-Free Yes —
संगठन — 256M x 16
डेटा बस चौड़ाई — 16 bit
अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी — 933 MHz
Access Time — 20 ns
पैकेज / केस — 96-FBGA (7.5x13.5)
माउंटिंग स्टाइल — Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — 0°C to +95°C (Tc)
RoHS — Compliant
Memory Format — DRAM
Technology — DDR3L
Supply Voltage - Min — 1.283 V
Supply Voltage - Max — 1.45 V

डेटाशीट और संसाधन

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