MT41K256M16TW-107:P vs MT41K256M16LY-107:N 比較

詳細並排比較 MT41K256M16TW-107:P 由 Micron Technology 與 MT41K256M16LY-107:N 由 Micron Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Micron Technology
MT41K256M16TW-107:P MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P ✓ 啟用中
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MT41K256M16LY-107:N MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

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規格比較

參數 MT41K256M16TW-107:P MT41K256M16LY-107:N
品牌 Micron Technology Micron Technology
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
記憶體容量 4Gbit (256M x 16) 4 Gbit
Clock Frequency 933 MHz —
資料速率 1866 MT/s —
供應電壓 1.35V 1.35 V
I/O Voltage 1.35V —
CAS 延遲 13 —
tRCD 20 ns —
tRP 20 ns —
Burst Length 8 —
封裝 96-FBGA (8x14mm) —
工作溫度 0°C to +95°C —
安裝類型 Surface Mount —
RoHS 狀態 Compliant —
Lead-Free Yes —
組織 — 256M x 16
資料匯流排寬度 — 16 bit
最大時脈頻率 — 933 MHz
Access Time — 20 ns
封裝 / 外殼 — 96-FBGA (7.5x13.5)
安裝方式 — Surface Mount
工作溫度範圍 — 0°C to +95°C (Tc)
RoHS — Compliant
Memory Format — DRAM
Technology — DDR3L
Supply Voltage - Min — 1.283 V
Supply Voltage - Max — 1.45 V

資料表與資源

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