MT42L16M32D1HE-18 vs MT42L32M32D1HE-18 IT:D तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT42L16M32D1HE-18 द्वारा Micron Technology और MT42L32M32D1HE-18 IT:D द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT42L16M32D1HE-18 - 512Mb LPDDR2 SDRAM 134-VFBGA | Micron
MT42L16M32D1HE-18 ✓ सक्रियMicron Technology
MT42L32M32D1HE-18 - 1Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron
MT42L32M32D1HE-18 IT:D ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT42L16M32D1HE-18 | MT42L32M32D1HE-18 IT:D |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | Mobile LPDDR2 SDRAM | Mobile LPDDR2 SDRAM |
| Density | 512 Mbit | — |
| संगठन | 16M x 32 | 32M x 32 |
| Clock Frequency | 533 MHz | — |
| डेटा दर | 1066 MT/s (DDR) | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel, LPDDR2 CA bus | Parallel |
| पैकेज | 134-VFBGA (10 x 11.5 mm) | 134-VFBGA (10 x 11.5 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (IT:E) | -40C to +85C | — |
| Operating Temperature (AAT:E) | -40C to +105C | — |
| Speed Grade | -18 | — |
| Low-Power Modes | Self-refresh, power-down, deep power-down, clock stop | — |
| Automotive Qualification (AAT:E variant) | AEC-Q100 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (D suffix = lead-free) |
| Technology | LPDRAM | — |
| मेमोरी आकार | — | 1 Gbit |
| Clock / Data Rate | — | 533 MHz |
| Core Supply Voltage (VDD1) | — | 1.2 V |
| I/O Supply Voltage (VDD2) | — | 1.8 V |
| Temperature Grade | — | IT (industrial) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | [DATA_NEEDED: exact min/max operating temperature range] |
| AEC-Q100 | — | Qualified on AAT automotive variants |
| Access Type | — | Synchronous, JEDEC LPDDR2-S4 protocol |
| Refresh | — | Self-refresh supported |
| Packaging Option | — | Tray or Tape & Reel (TR) |