N25Q032A13EF4A0F vs N25Q032A13EV741 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना N25Q032A13EF4A0F द्वारा Micron Technology और N25Q032A13EV741 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
N25Q032A13EF4A0F N25Q032A13EF4A0F - 32Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EF4A0F - 32Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EF4A0F ✓ सक्रिय
Micron Technology
N25Q032A13EV741 N25Q032A13EV741 - 32Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EV741 - 32Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EV741 Obsolete

विशेषता तुलना

पैरामीटर N25Q032A13EF4A0F N25Q032A13EV741
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय Obsolete
मेमोरी प्रकार FLASH - NOR Memory IC (Serial) Non-Volatile, FLASH - NOR
मेमोरी आकार 32 Mbit (4 MB) 32Mbit (8M x 4)
इंटरफ़ेस SPI (Multi-I/O) —
Clock Frequency 108 MHz —
सप्लाई वोल्टेज 3 V (2.7 V to 3.6 V) 2.7 V to 3.6 V
पैकेज 8-UFDFPN (MLP8) 4 x 3 mm 8-lead VDFPN (EV)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Read Modes Standard, Dual, Quad SPI —
Erase Granularity 4 KB subsector / 64 KB sector —
Grade Automotive —
Write Cycle Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: temperature range] —
Access Time [DATA_NEEDED: access time] —
Program/Erase Speed [DATA_NEEDED: page program time] —
RoHS स्थिति Compliant —
Packaging Tape & Reel (T&R) Bulk
Memory Format — FLASH
Memory Interface — SPI
अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी — 108 MHz
Write Cycle Time - Word — 8 ms
Write Cycle Time - Page — 5 ms
Technology — FLASH - NOR (SLC)
नमी संवेदनशीलता स्तर (MSL) — 3 (168 Hours)
Part Status — Obsolete
Application Segment — Telecom

डेटाशीट और संसाधन

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