NT5AD512M16A4-GZ vs NT5AD512M16A4-HR तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5AD512M16A4-GZ द्वारा Nanya Technology और NT5AD512M16A4-HR द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Nanya Technology
NT5AD512M16A4-GZ NT5AD512M16A4-GZ - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya

NT5AD512M16A4-GZ - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya

NT5AD512M16A4-GZ ✓ सक्रिय
Nanya Technology
NT5AD512M16A4-HR NT5AD512M16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya

NT5AD512M16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya

NT5AD512M16A4-HR ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर NT5AD512M16A4-GZ NT5AD512M16A4-HR
ब्रांड Nanya Technology Nanya Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
संगठन 512M x 16 512M x 16
Density 8Gb 8 Gb
सप्लाई वोल्टेज 1.2V 1.2 V
अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी 1200 MHz —
डेटा बस चौड़ाई 16 bits —
पैकेज TFBGA-96 TFBGA-96
Number of Terminals 96 —
Interleaved Burst Length 4, 8 —
Access Mode Four Bank Page Burst —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज Commercial and Industrial —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Auto Self-Refresh Yes Yes
Built-in Temperature Sensor Yes Yes
CRC Function Yes Yes
Data Mask Function Yes —
Write Leveling Function Yes —
ZQ Calibration Function Yes —
डेटा दर — 3200 Mbps (PC4-25600)
ऑपरेटिंग तापमान — 0°C to +95°C
माउंटिंग प्रकार — Surface Mount
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
ZQ Calibration — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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