NT5AD512M16A4-GZ vs NT5AD512M16A4-HR مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT5AD512M16A4-GZ بواسطة Nanya Technology و NT5AD512M16A4-HR بواسطة Nanya Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Nanya Technology
NT5AD512M16A4-GZ NT5AD512M16A4-GZ - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya

NT5AD512M16A4-GZ - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya

NT5AD512M16A4-GZ ✓ نشط
Nanya Technology
NT5AD512M16A4-HR NT5AD512M16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya

NT5AD512M16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya

NT5AD512M16A4-HR ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل NT5AD512M16A4-GZ NT5AD512M16A4-HR
العلامة التجارية Nanya Technology Nanya Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
التنظيم 512M x 16 512M x 16
Density 8Gb 8 Gb
جهد التغذية 1.2V 1.2 V
أقصى تردد للساعة 1200 MHz —
عرض ناقل البيانات 16 bits —
العلبة TFBGA-96 TFBGA-96
Number of Terminals 96 —
Interleaved Burst Length 4, 8 —
Access Mode Four Bank Page Burst —
نطاق درجة حرارة التشغيل Commercial and Industrial —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Auto Self-Refresh Yes Yes
Built-in Temperature Sensor Yes Yes
CRC Function Yes Yes
Data Mask Function Yes —
Write Leveling Function Yes —
ZQ Calibration Function Yes —
معدل البيانات — 3200 Mbps (PC4-25600)
درجة حرارة التشغيل — 0°C to +95°C
نوع التركيب — Surface Mount
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
ZQ Calibration — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر