NT5CC256M16CP-DII vs NT5CC256M16CP-DINA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CC256M16CP-DII द्वारा Nanya Technology और NT5CC256M16CP-DINA द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5CC256M16CP-DII | NT5CC256M16CP-DINA |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | Nanya Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4Gb | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| डेटा दर | 1600 Mbps | 1600 Mbps (DDR3-1600) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | 1.35 V (DDR3L), backward compatible to 1.5 V |
| Temperature Grade | Industrial | — |
| पैकेज | TFBGA-96 (9x13 mm, 0.8 mm pitch) | TFBGA-96, 9 x 13 mm, 0.8 mm pitch |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.225 ns | 0.225 ns |
| Technology | CMOS | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| हैलोजन फ्री | Yes | Yes |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) |
| Density | — | 4 Gb |
| CAS लेटेंसी | — | 11 |
| Burst Length | — | 8 |
| Process Technology | — | 70nm |
| इंटरफ़ेस | — | CMOS |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |