2EDN7434RXTMA1 vs 1EDN7136UXTSA1 比較

詳細な並列比較: 2EDN7434RXTMA1 メーカー: Infineon および 1EDN7136UXTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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2EDN7434RXTMA1 2EDN7434RXTMA1 - 4A Dual Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7434RXTMA1 - 4A Dual Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7434RXTMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2EDN7434RXTMA1 1EDN7136UXTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.34 $0.74
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family EiceDRIVER 2EDN —
Driver Configuration Dual-channel low-side —
Number of Drivers 2 —
Peak Output Current 5 A (source/sink) —
Rated Output Current 4 A —
Output Resistance (Low) [DATA_NEEDED: output resistance Ron low] —
Output Resistance (High) [DATA_NEEDED: output resistance Ron high] —
Propagation Delay (Typ.) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL, non-inverting —
Absolute Max Input Voltage -12 V to +22 V —
Supply Voltage Range [DATA_NEEDED: VDD range] —
パッケージ PG-TSSOP-8 (3.0 x 3.0 mm) TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature] -40 C to +150 C
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Active Output Voltage Clamping Yes —
機能 — High-side / Low-side gate driver IC
Driven Device Type — GaN HEMT, N-channel MOSFET
出力数 — 2 (high-side and low-side)
Peak Source Current — 1 A
Peak Sink Current — 2 A
Driver Supply Voltage (Max) — 200 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Active Miller Clamp — Yes (integrated)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (driver supply and logic input)
Propagation Delay (Typ) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Lead-Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes (per Infineon product family convention)

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