2EDN7533RXTMA1 vs 1EDN7136UXTSA1 比較

詳細な並列比較: 2EDN7533RXTMA1 メーカー: Infineon および 1EDN7136UXTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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2EDN7533RXTMA1 2EDN7533RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7533RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7533RXTMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2EDN7533RXTMA1 1EDN7136UXTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.55 $0.74
機能 Dual-channel low-side gate driver High-side / Low-side gate driver IC
Number of Channels 2 —
Input Polarity Inverting —
Peak Source/Sink Output Current 5 A —
Output Resistance (Pull-up, typ.) 0.5 ohm —
Output Resistance (Pull-down, typ.) 0.3 ohm —
Propagation Delay (typ.) 19 ns —
Channel-to-Channel Delay Matching 1.3 ns (typ.) —
Rise/Fall Time 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load) —
Input Logic Compatibility LV-TTL —
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V —
Supply Voltage VDD (recommended) 4.5 V to 20 V —
Supply Voltage VDD (absolute max) 25 V —
Under-Voltage Lockout Yes (per channel) —
動作接合温度 -40 C to +150 C —
パッケージ PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
Driven Device Type — GaN HEMT, N-channel MOSFET
出力数 — 2 (high-side and low-side)
Peak Source Current — 1 A
Peak Sink Current — 2 A
Driver Supply Voltage (Max) — 200 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Active Miller Clamp — Yes (integrated)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (driver supply and logic input)
Propagation Delay (Typ) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
動作温度範囲 — -40 C to +150 C
Lead-Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes (per Infineon product family convention)
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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