2N7002LT1G vs MMBF170LT1 比較

詳細な並列比較: 2N7002LT1G メーカー: onsemi および MMBF170LT1 メーカー: onsemi。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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2N7002LT1G 2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2N7002LT1G MMBF170LT1
ブランド onsemi onsemi
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.02 $0.09
Polarity N-Channel N-Channel
Channel Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage VDSS 60 V —
Continuous Drain Current ID 115 mA (Tc) —
Power Dissipation PD 225 mW (Ta) —
Maximum RDS(on) 7.5 ohm @ VGS = 5 V —
Configuration Single FET —
パッケージ SOT-23-3 (TO-236) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 —
カテゴリ Small Signal MOSFET —
Technology MOSFET DMOS
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) onsemi (ON Semiconductor)
Lead Finish [DATA_NEEDED: lead finish/plating] —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet)
Packaging [DATA_NEEDED: packaging type] —
Part Number — MMBF170LT1
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDSS) — 60 V
Drain-Gate Voltage (VDGS) — 60 Vdc
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) — ±20 Vdc (per datasheet)
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) — ±40 Vpk (tp <= 50 ms)
Continuous Drain Current (ID) — 500 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Total Device Dissipation (PD) — 225 mW (Ta, FR-5 board)
パッケージ / ケース — SOT-23-3 (TO-236)
ピン数 — 3
RoHS ステータス — Compliant (per onsemi product page)
AEC-Q101 Qualified — Yes (per datasheet)

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