AS4C512M16D4-75BIN vs AS4C512M16D4-75BCNTR 比較

詳細な並列比較: AS4C512M16D4-75BIN メーカー: Alliance Memory および AS4C512M16D4-75BCNTR メーカー: Alliance Memory。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ 生産中
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AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BCNTR
ブランド Alliance Memory Alliance Memory
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $8.99 $7.90
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit —
Memory Organization 512M x 16 —
Clock Frequency 1.333 GHz 1.333 GHz
Access Time 18 ns 18 ns
Write Cycle Time 15 ns 15 ns
電源電圧 1.2 V —
パッケージ 96-FBGA (7.5x13) 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
動作温度 -40°C to +95°C —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
インターフェース POD Parallel
データレート 2666 Mbps 2666 Mbps per pin
ピン数 96 —
RoHS ステータス Compliant Compliant
特長 Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration —
Density — 8 Gbit
メモリ構成 — 512M x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V)
Prefetch Architecture — 8n
Internal Bank Count — 16 banks
動作温度範囲 — 0C to +95C (case, commercial)
Process Technology — 20nm-class DRAM
Termination — On-die termination (ODT)
Refresh Modes — Auto-refresh and self-refresh
Packaging Option — Tape & Reel (TR suffix)
Lead-Free — Yes

データシート&リソース

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