AT45DB041D-SU vs AT45DB041E-SSHN2B-T 比較
詳細な並列比較: AT45DB041D-SU メーカー: Renesas Electronics および AT45DB041E-SSHN2B-T メーカー: Renesas Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Renesas Electronics
AT45DB041E-SSHN2B-T - 4Mbit SPI DataFlash, 85MHz, 8-SOIC | Renesas
AT45DB041E-SSHN2B-T ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | AT45DB041D-SU | AT45DB041E-SSHN2B-T |
|---|---|---|
| ブランド | Renesas Electronics | Renesas Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.92 | $1.40 |
| メモリタイプ | DataFLASH NOR | Non-volatile Flash (DataFlash / NOR) |
| Memory Format | FLASH | — |
| Density | 4 Mbit (4,325,376 bits) | — |
| メモリ構成 | 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard) | 2,048 pages x 256 bytes (or 264 bytes binary page mode) |
| インターフェース | SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3) | — |
| 最大クロック周波数 | 66 MHz | 85 MHz |
| 電源電圧 | 2.7 V to 3.6 V | — |
| SRAM Data Buffers | 2 x 264 bytes | — |
| Page Program Time | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Endurance | 100,000 program/erase cycles per page | — |
| Data Retention | 20 years minimum | — |
| Security Register | 128 bytes | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40 °C to +85 °C |
| パッケージ | 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ) | 8-SOIC (SOIC-N 150 mil) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| メモリサイズ | — | 4 Mbit (4,194,304 bits) |
| インターフェースタイプ | — | SPI (Modes 0 and 3) / RapidS |
| Supply Voltage (Vcc) | — | 1.65 V to 3.6 V |
| Page Size | — | 256 bytes / 264 bytes |
| SRAM Buffers | — | 2 x 256/264 bytes (dual buffer) |
| Sector / Block Erase | — | Page erase as small as 256 bytes |
| Write Protection | — | Hardware, Software, and Absolute write protection |
| Power-on Reset | — | Yes (integrated) |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |