AT45DB041D-SU vs AT45DB041E-SSHN2B-T 비교
다음의 상세 나란히 비교: AT45DB041D-SU 제조: Renesas Electronics 및 AT45DB041E-SSHN2B-T 제조: Renesas Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Renesas Electronics
AT45DB041E-SSHN2B-T - 4Mbit SPI DataFlash, 85MHz, 8-SOIC | Renesas
AT45DB041E-SSHN2B-T ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | AT45DB041D-SU | AT45DB041E-SSHN2B-T |
|---|---|---|
| 브랜드 | Renesas Electronics | Renesas Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.92 | $1.40 |
| 메모리 유형 | DataFLASH NOR | Non-volatile Flash (DataFlash / NOR) |
| Memory Format | FLASH | — |
| Density | 4 Mbit (4,325,376 bits) | — |
| 메모리 구성 | 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard) | 2,048 pages x 256 bytes (or 264 bytes binary page mode) |
| 인터페이스 | SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3) | — |
| 최대 클록 주파수 | 66 MHz | 85 MHz |
| 공급 전압 | 2.7 V to 3.6 V | — |
| SRAM Data Buffers | 2 x 264 bytes | — |
| Page Program Time | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Endurance | 100,000 program/erase cycles per page | — |
| Data Retention | 20 years minimum | — |
| Security Register | 128 bytes | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40 °C to +85 °C |
| 패키지 | 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ) | 8-SOIC (SOIC-N 150 mil) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| 메모리 크기 | — | 4 Mbit (4,194,304 bits) |
| 인터페이스 유형 | — | SPI (Modes 0 and 3) / RapidS |
| Supply Voltage (Vcc) | — | 1.65 V to 3.6 V |
| Page Size | — | 256 bytes / 264 bytes |
| SRAM Buffers | — | 2 x 256/264 bytes (dual buffer) |
| Sector / Block Erase | — | Page erase as small as 256 bytes |
| Write Protection | — | Hardware, Software, and Absolute write protection |
| Power-on Reset | — | Yes (integrated) |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |