AT45DB041E vs AT45DB041D-SU 比較

詳細な並列比較: AT45DB041E メーカー: Renesas Electronics および AT45DB041D-SU メーカー: Renesas Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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AT45DB041E AT45DB041E - 4Mbit SPI DataFlash 85MHz 1.65V | Renesas

AT45DB041E - 4Mbit SPI DataFlash 85MHz 1.65V | Renesas

AT45DB041E ✓ 生産中
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AT45DB041D-SU AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ AT45DB041E AT45DB041D-SU
ブランド Renesas Electronics Renesas Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.81 $0.92
Memory Capacity 4 Mbit (512 KB) —
メモリタイプ Flash - DataFlash (SPI NOR) DataFLASH NOR
インターフェース SPI Serial (RapidS) SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3)
最大クロック周波数 85 MHz 66 MHz
Supply Voltage Range 1.65 V to 3.6 V —
Page Size 264 bytes —
Number of Pages 2048 —
SRAM Data Buffers 2 x 264 bytes 2 x 264 bytes
Erase Granularity Page / Block (8 pages) / Sector —
パッケージ 8-SOIC (208 mil) 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Write Protection Hardware /WP pin + software sector protection —
Access Type Sequential access (DataFlash architecture) —
Typical Applications Digital voice, image, program code, data storage —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Memory Format — FLASH
Density — 4 Mbit (4,325,376 bits)
メモリ構成 — 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard)
電源電圧 — 2.7 V to 3.6 V
Page Program Time — [DATA_NEEDED: page program time]
Endurance — 100,000 program/erase cycles per page
Data Retention — 20 years minimum
Security Register — 128 bytes
Lead-Free — Yes

データシート&リソース

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