AT45DB041E vs AT45DB041D-SU 비교

다음의 상세 나란히 비교: AT45DB041E 제조: Renesas Electronics 및 AT45DB041D-SU 제조: Renesas Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Renesas Electronics
AT45DB041E AT45DB041E - 4Mbit SPI DataFlash 85MHz 1.65V | Renesas

AT45DB041E - 4Mbit SPI DataFlash 85MHz 1.65V | Renesas

AT45DB041E ✓ 활성
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AT45DB041D-SU AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU ✓ 활성

사양 비교

파라미터 AT45DB041E AT45DB041D-SU
브랜드 Renesas Electronics Renesas Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.81 $0.92
Memory Capacity 4 Mbit (512 KB) —
메모리 유형 Flash - DataFlash (SPI NOR) DataFLASH NOR
인터페이스 SPI Serial (RapidS) SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3)
최대 클록 주파수 85 MHz 66 MHz
Supply Voltage Range 1.65 V to 3.6 V —
Page Size 264 bytes —
Number of Pages 2048 —
SRAM Data Buffers 2 x 264 bytes 2 x 264 bytes
Erase Granularity Page / Block (8 pages) / Sector —
패키지 8-SOIC (208 mil) 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Write Protection Hardware /WP pin + software sector protection —
Access Type Sequential access (DataFlash architecture) —
Typical Applications Digital voice, image, program code, data storage —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Memory Format — FLASH
Density — 4 Mbit (4,325,376 bits)
메모리 구성 — 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard)
공급 전압 — 2.7 V to 3.6 V
Page Program Time — [DATA_NEEDED: page program time]
Endurance — 100,000 program/erase cycles per page
Data Retention — 20 years minimum
Security Register — 128 bytes
Lead-Free — Yes

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