BSC023N08NS5SCATMA1 vs BSC0902NSIATMA1 比較
詳細な並列比較: BSC023N08NS5SCATMA1 メーカー: Infineon および BSC0902NSIATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
BSC023N08NS5SCATMA1 - 80V, 2.3mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon
BSC023N08NS5SCATMA1 ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | BSC023N08NS5SCATMA1 | BSC0902NSIATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.05 | $0.32 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC023N08NS5SCATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 202 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 188 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) typ. | 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. | 3.8 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 98 nC at VGS=10 V | — |
| Input Capacitance Ciss | 6.8 nF | — |
| Output Capacitance Coss | 74 pF | — |
| Thermal Resistance RthJC | 0.72 K/W | — |
| 動作接合温度 | -55 °C to +175 °C | — |
| パッケージ | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) | PG-TDSON-8-6 (TDSON-8) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 30V |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 23 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 2.8 mOhm |
| Gate Charge QG(0V..10V) | — | 24 nC |
| Output Charge QOSS | — | 17 nC |
| Power Dissipation (TA) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| 動作温度範囲 | — | -55C to +150C (junction) |
| Built-in Diode | — | Yes (single with built-in diode) |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Lead-Free | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |