BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC040N08NS5ATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC027N10NS5ATMA1 メーカー: Infineon および BSC040N08NS5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 - 80V 100A 4mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC040N08NS5ATMA1 - 80V 100A 4mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC040N08NS5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC027N10NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 NRND 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.10 $1.15
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC027N10NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1
Technology OptiMOS 5 (100V) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 194 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 214 W —
パッケージ PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Qualification Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) — 121 A
On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 4 mOhm
Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc=25C) — 104 W
動作接合温度 — -55 C to +175 C
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Primary Application — Synchronous rectification in telecom and server power supplies

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