BSC030N03LSGATMA1 vs BSC059N04LSGATMA1 比較
詳細な並列比較: BSC030N03LSGATMA1 メーカー: Infineon および BSC059N04LSGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | BSC030N03LSGATMA1 | BSC059N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.38 | $0.39 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C | 23 A | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 3 mOhm | — |
| RDS(on) Max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ | 2.2 V | — |
| Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V | 55 nC | — |
| Output Charge (Qoss) | 66 pF | — |
| Input Capacitance (Ciss) Typ | 4.3 nF | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | 69 W | — |
| 動作接合温度 | -55C to +150C | — |
| パッケージ | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| MSLレベル | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Avalanche Rated | Yes (100% tested) | — |
| Technology | — | OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 73 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 16 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.9 mOhm |
| Power Dissipation (Tc=25C) | — | 50 W |
| Power Dissipation (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | — | 1.2 V to 2.0 V (typ) |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC] |
| 動作温度範囲 | — | -55 C to +150 C |
| REACH Status | — | Compliant |
| Channel Type | — | N-Channel |