BSC047N08NS3GATMA1 vs BSC016N06NSATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC047N08NS3GATMA1 メーカー: Infineon および BSC016N06NSATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 ✓ 生産中
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BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 - 60V 100A 1.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC016N06NSATMA1 - 60V 100A 1.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC016N06NSATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC047N08NS3GATMA1 BSC016N06NSATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.46 $0.65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC047N08NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS™ 3 (N-channel trench) OptiMOS™ 5
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 18 A —
On-Resistance RDS(on) max 4.7 mOhm at VGS=10 V —
Power Dissition (Tc) 125 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Gate Threshold Voltage (VGS th) Normal level (typ 1.7 V) —
Avalanche Rated 100% tested —
パッケージ PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (Tj) -55 °C to +150 °C
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, Halogen-free —
Product Series — OptiMOS™ 5 60V
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TA) — 30 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.6 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 71 nC
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 139 W
MSLレベル — 1 (unlimited)
RoHS ステータス — Compliant
Gate Drive (recommended) — 10 V

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