BSC0504NSIATMA1 vs BSC021N08NS5ATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC0504NSIATMA1 メーカー: Infineon および BSC021N08NS5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC021N08NS5ATMA1 BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC0504NSIATMA1 BSC021N08NS5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.00 $0.81
トランジスタタイプ N-channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage 30 V —
Continuous Drain Current at Ta 21 A —
Continuous Drain Current at Tc 72 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 30 W —
Technology Family OptiMOS 5 —
パッケージ PG-TDSON-8-6 SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 8 pins —
Exposed Pad Yes, according to distributor package description —
On-State Resistance [DATA_NEEDED: on-state resistance] —
Gate Charge [DATA_NEEDED: gate charge] —
ゲートしきい値電圧 [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
熱抵抗 [DATA_NEEDED: thermal resistance] —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
AEC-Q100 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] —
RoHS ステータス unknown Compliant (Pb-free)
Lead-Free Status unknown —
Halogen-Free Status unknown —
REACH Status unknown —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC021N08NS5ATMA1
Technology — OptiMOS 5 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) — 226 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) — 100 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10 V) — 2.1 mΩ
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
Power Dissipation P_D (Tc=25°C) — 214 W
動作接合温度 — -55 °C to +175 °C
Total Gate Charge Q_G typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
R_thJC thermal resistance max — [DATA_NEEDED: R_thJC]
MSLレベル — MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Delivery Form — Tape & Reel (T&R)

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