BSC050NE2LSATMA1 vs BSC023N08NS5SCATMA1 比較
詳細な並列比較: BSC050NE2LSATMA1 メーカー: Infineon および BSC023N08NS5SCATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
BSC023N08NS5SCATMA1 - 80V, 2.3mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon
BSC023N08NS5SCATMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | BSC050NE2LSATMA1 | BSC023N08NS5SCATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.36 | $1.05 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C | 58 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Ta=25C | 39 A | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 5 mOhm | — |
| R_DS(on) typical at V_GS=10V | 4.2 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 28 W | — |
| Technology | OptiMOS 25V (trench) | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| パッケージ | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度範囲 | -55C to +150C | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC023N08NS5SCATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 202 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 188 W |
| On-State Resistance RDS(on) typ. | — | 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. | — | 3.8 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 98 nC at VGS=10 V |
| Input Capacitance Ciss | — | 6.8 nF |
| Output Capacitance Coss | — | 74 pF |
| Thermal Resistance RthJC | — | 0.72 K/W |
| 動作接合温度 | — | -55 °C to +175 °C |