BSC059N04LS6ATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC059N04LS6ATMA1 メーカー: Infineon および BSC027N04LSGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 - 40V 59A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSC059N04LS6ATMA1 - 40V 59A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSC059N04LS6ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC059N04LS6ATMA1 BSC027N04LSGATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.74 $0.54
Technology OptiMOS 6 (N-channel MOSFET) OptiMOS 3 (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 49 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) at TC=25C 59 A —
On-Resistance RDS(on) max 5.9 mOhm at VGS=10 V —
Total Power Dissipation at TA=25C 3 W —
Total Power Dissipation at TC=25C 38 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V ±20 V
動作温度範囲 -55C to +150C -55°C to +150°C
パッケージ PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Diode Continuous Forward Current (IS) 38 A at TC=25C —
Diode Pulse Current (IS,pulse) 236 A at TC=25C —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
消費電力(TC=25°C) — 83 W
MSLレベル — 1
ハロゲンフリー — Yes

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