BSC059N04LS6ATMA1 vs BSC072N08NS5ATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC059N04LS6ATMA1 メーカー: Infineon および BSC072N08NS5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 - 40V 59A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSC059N04LS6ATMA1 - 40V 59A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSC059N04LS6ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC059N04LS6ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.74 $0.46
Technology OptiMOS 6 (N-channel MOSFET) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 49 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) at TC=25C 59 A —
On-Resistance RDS(on) max 5.9 mOhm at VGS=10 V —
Total Power Dissipation at TA=25C 3 W —
Total Power Dissipation at TC=25C 38 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
動作温度範囲 -55C to +150C [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj]
パッケージ PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Diode Continuous Forward Current (IS) 38 A at TC=25C —
Diode Pulse Current (IS,pulse) 236 A at TC=25C —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — BSC072N08NS5 (OptiMOS 5)
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 74 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 7.2 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Shipping Pack — Tape & Reel (ATMA1)
Standard Pack Quantity — 5000

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