BSC060N10NS3GATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC060N10NS3GATMA1 メーカー: Infineon および BSC076N06NS3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 - 100V 6mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC060N10NS3GATMA1 - 100V 6mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC060N10NS3GATMA1 ✓ 生産中
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BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 - 60V 50A 7.6mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC076N06NS3GATMA1 - 60V 50A 7.6mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC076N06NS3GATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC060N10NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.78 $0.65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 14.9 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 90 A —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 6 mOhm —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 125 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 3.5 V —
動作接合温度 -55 C to +150 C —
Technology OptiMOS 3 (Trench MOSFET) N-Channel Trench MOSFET
パッケージ PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free Yes —
ハロゲンフリー [DATA_NEEDED: halogen status] Yes (per Infineon product page)
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss value] —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS value] —
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
動作温度範囲 — -55C to +150C
RoHS Compliance — Compliant

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