BSC0902NSIATMA1 vs BSC0901NSATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC0902NSIATMA1 メーカー: Infineon および BSC0901NSATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ BSC0902NSIATMA1 BSC0901NSATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.32 $0.78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 30V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.8 mOhm 1.9 mOhm
Gate Charge QG(0V..10V) 24 nC —
Output Charge QOSS 17 nC —
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) -55C to +150C
パッケージ PG-TDSON-8-6 (TDSON-8) TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Built-in Diode Yes (single with built-in diode) —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ハロゲンフリー Yes —
Part Family — OptiMOS 30V
Technology — N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 28 A
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
湿気感度レベル(MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

データシート&リソース

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