BSC0902NSIATMA1 vs BSC0901NSATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC0902NSIATMA1 por Infineon e BSC0901NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSC0902NSIATMA1 | BSC0901NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,32 | $0,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 30V | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 2.8 mOhm | 1.9 mOhm |
| Gate Charge QG(0V..10V) | 24 nC | — |
| Output Charge QOSS | 17 nC | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-6 (TDSON-8) | TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Built-in Diode | Yes (single with built-in diode) | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Part Family | — | OptiMOS 30V |
| Technology | — | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 28 A |
| On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 80 mJ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 69 W |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | — | 1 |
| Built-in Body Diode | — | Yes |
| Configuration | — | Single N-Channel with Built-in Diode |