BSC0993NDATMA1 vs BSC0911NDATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC0993NDATMA1 メーカー: Infineon および BSC0911NDATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 - 25V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon

BSC0911NDATMA1 - 25V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon

BSC0911NDATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC0993NDATMA1 BSC0911NDATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.32 $0.46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 30V —
Configuration Dual N-Channel (Array) Dual N-Channel (2 N-CH)
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta 17 A —
パッケージ PG-TISON-8 PG-TISON-8 (8-PowerTDFN)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS trench MOSFET
Channel Mode Enhancement —
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) —
ESD Protection Yes (integrated) —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Rds(on) max @ Vgs=10V [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Product Family — OptiMOS 25V
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) — 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 30 A
Power Dissipation (PD) — 1 W
動作温度 — -55C to +150C (junction)
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Gate Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]

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